题目内容：
目前生长半导体体单晶最常见的方法是（）
A.直拉法
B.CVD法
C.布里兹曼法
D.液相外延法
参考答案：
选择题：目前生长半导体体单晶最常见的方法是（）
- 题目分类：中国大学MOOC慕课
- 题目类型：选择题
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CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好，但是反应的源气、余气有毒。这是一个关于纯度 薄膜 半导体材料的相关问题，下面我们来看
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区熔可以重复多次，使杂质尽量被集中在头尾两端，提纯中部的材料，且熔区越长越好。这是一个关于杂质 头尾 半导体材料的相关问题，下面我们来看
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This graph indicates that the cellular mortality rates after 420、520、and 720 seconds of radiation were 55%、58%、and 77%,