选择题：CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好，但是反应的源气、余气有毒。

以下对于硅材料特性的描述正确的是（）这是一个关于器件 工作温度 半导体材料的相关问题，下面我们来看

区熔可以重复多次，使杂质尽量被集中在头尾两端，提纯中部的材料，且熔区越长越好。这是一个关于杂质 头尾 半导体材料的相关问题，下面我们来看

可以通过晶锭外侧的生产条纹和小平面来判断晶体的位错状态。这是一个关于晶体 条纹 半导体材料的相关问题，下面我们来看

This graph indicates that the cellular mortality rates after 420、520、and 720 seconds of radiation were 55%、58%、and 77%,

You should not refer to any other previous studies in the Discussion section.这是一个关于生物医学英语写作的相关问题，下面我们来看