选择题:下列关于费米能级的说法错误的是()。

题目内容:

下列关于费米能级的说法错误的是()。

A.费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大

B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近

C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶

D.N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远

参考答案:

锗pn结的正向导通电压大约为()V。

锗pn结的正向导通电压大约为()V。这是一个关于电压 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看

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双极型晶体管具有电流放大能力的条件不包括()。

双极型晶体管具有电流放大能力的条件不包括()。这是一个关于电阻 晶体管 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看

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平面双极型晶体管的实际工艺中,基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是()。

平面双极型晶体管的实际工艺中,基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是()。这是一个关于误差 晶体管 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看

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由于双极型晶体管有效基区宽度的变化,引起基区中少子积累的变化,反应出()的充放电效应。

由于双极型晶体管有效基区宽度的变化,引起基区中少子积累的变化,反应出()的充放电效应。这是一个关于电容 少子 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看

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晶体管的工作频率增加一倍,则功率增益()。

晶体管的工作频率增加一倍,则功率增益()。这是一个关于晶体管 增益 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看

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