选择题:由于双极型晶体管有效基区宽度的变化,引起基区中少子积累的变化,反应出()的充放电效应。 题目分类:中国大学MOOC慕课 题目类型:选择题 查看权限:VIP 题目内容: 由于双极型晶体管有效基区宽度的变化,引起基区中少子积累的变化,反应出()的充放电效应。 A.集电结势垒电容B.集电结扩散电容C.发射结势垒电容D.发射结扩散电容 参考答案:
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