在VPE.MBE.SEG.LPE.SPE.UHV/CVD.MOCVD中,哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层? 在VPE.MBE.SEG.LPE.SPE.UHV/CVD.MOCVD中,哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层?这是一个关于杂质 外延 微电子工艺的相关问题,下面我们来看 分类:慕课 题型:选择题 查看答案
一扩散,采取两歩工艺:预淀积温度高(1200℃)时间长(50min),再分布温度低(970℃)时间短(30min),杂质 一扩散,采取两歩工艺:预淀积温度高(1200℃)时间长(50min),再分布温度低(970℃)时间短(30min),杂质近似为服从高斯分布。这是一个关于杂质 积温 微电子工艺的相关问题,下面我们来看 分类:慕课 题型:选择题 查看答案
关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确:这是一个关于临界 剂量 微电子工艺的相关问题,下面我们来看 分类:慕课 题型:选择题 查看答案