选择题:一扩散,采取两歩工艺:预淀积温度高(1200℃)时间长(50min),再分布温度低(970℃)时间短(30min),杂质 题目分类:慕课 题目类型:选择题 号外号外:注册会员即送体验阅读点! 题目内容: 一扩散,采取两歩工艺预淀积温度高(1200℃)时间长(50min),再分布温度低(970℃)时间短(30min),杂质近似为服从高斯分布。 A.正确B.错误 参考答案:
关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确:这是一个关于临界 剂量 微电子工艺的相关问题,下面我们来看 分类:慕课 题型:选择题 查看答案
罗斯福新政时期通过了一系列法律,加强国家对经济的干预,以下哪一项不属于新政法律? 罗斯福新政时期通过了一系列法律,加强国家对经济的干预,以下哪一项不属于新政法律?这是一个关于新政 罗斯福 简明世界史的相关问题,下面我们来看 分类:慕课 题型:选择题 查看答案