选择题:[填空题,10分] 在常温下,硅二极管的门槛电压约为 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 V 题目分类:河南理工大学-机械设计制造及其自动化-模拟电子技术 题目类型:选择题 查看权限:VIP 题目内容: [填空题,10分] 在常温下,硅二极管的门槛电压约为 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 V 参考答案:
Don.t remind me of that awful day;Isuch a fool of Don.t remind me of that awful day;Isuch a fool of myself.A.madeB.makeC.will make 分类:河南理工大学-机械设计制造及其自动化-模拟电子技术 题型:选择题 查看答案
[填空题,9分] 采用四位比较器对两个四位数比较时,先比较( )位。 [填空题,9分] 采用四位比较器对两个四位数比较时,先比较( )位。 分类:河南理工大学-机械设计制造及其自动化-模拟电子技术 题型:选择题 查看答案
The kids at Shute Country Primary School in Devon The kids at Shute Country Primary School in Devon are surprisingly quiet when it 分类:河南理工大学-机械设计制造及其自动化-模拟电子技术 题型:选择题 查看答案
[简答题,10分] 电源电压过高或过低,对日光灯管的寿命有何影响? [简答题,10分] 电源电压过高或过低,对日光灯管的寿命有何影响? 分类:河南理工大学-机械设计制造及其自动化-模拟电子技术 题型:选择题 查看答案