题目内容：
MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。
A.正确
B.错误
参考答案：
选择题：MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。
- 题目分类：知到智慧树
- 题目类型：选择题
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