选择题:单边突变结中,低掺杂侧的掺杂浓度越低,雪崩击穿电压越低。 题目分类:中国大学MOOC慕课 题目类型:选择题 查看权限:VIP 题目内容: 单边突变结中,低掺杂侧的掺杂浓度越低,雪崩击穿电压越低。 A.正确B.错误 参考答案:
双极型晶体管工作在线性区时可做开关使用,工作在饱和区时可做放大使用。 双极型晶体管工作在线性区时可做开关使用,工作在饱和区时可做放大使用。这是一个关于工作 晶体管 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看 分类:中国大学MOOC慕课 题型:选择题 查看答案
为减小BJT集电结势垒区渡越时间,可通过增加集电区掺杂浓度,降低集电极电阻率,减小击穿电压。() 为减小BJT集电结势垒区渡越时间,可通过增加集电区掺杂浓度,降低集电极电阻率,减小击穿电压。()这是一个关于集电极 电阻率 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看 分类:中国大学MOOC慕课 题型:选择题 查看答案
考虑混合π形等效电路,将晶体管分为低频段、中频段和高频段的两个分界频率值为()。 考虑混合π形等效电路,将晶体管分为低频段、中频段和高频段的两个分界频率值为()。这是一个关于频段 等效电路 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看 分类:中国大学MOOC慕课 题型:选择题 查看答案