题目内容：
关于位移电流，下述四种说法中正确的是（ ）。
A.位移电流是由变化电场产生的
B.位移电流是由线性变换磁场产生的
C.位移电流的热效应服从焦耳－楞次定律
D.位移电流的磁效应不服从安培环路定理
参考答案：
答案解析：
选择题：关于位移电流，下述四种说法中正确的是（ ）。
- 题目分类：军队文职人员招聘
- 题目类型：选择题
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用波长4000A-7000A的白光垂直照射光栅，在它的衍射光谱中，第二级光谱被第三级光谱重迭部分的波长范围是（ ）。
用波长4000A-7000A的白光垂直照射光栅，在它的衍射光谱中，第二级光谱被第三级光谱重迭部分的波长范围是（ ）。
在单缝夫琅和费衍射装置中，用波长为λ的单色光垂直入射在单缝上，若P点是衍射条纹中的中央明纹旁第二个暗条纹的中心，则由单缝边缘衍射光束到达P点的衍射光线光程差是（
在单缝夫琅和费衍射装置中，用波长为λ的单色光垂直入射在单缝上，若P点是衍射条纹中的中央明纹旁第二个暗条纹的中心，则由单缝边缘衍射光束到达P点的衍射光线光程差是（ ）。
静止时正立方体的边长为a，当它以0.8c，的速率沿与它的一边平行的方向运动时，观察者测得它的体积是（ ）。
静止时正立方体的边长为a，当它以0.8c，的速率沿与它的一边平行的方向运动时，观察者测得它的体积是（ ）。
波长为λ的单色平行光垂直入射到薄膜上，已知n12>n3，如图所示。则从薄膜上、下两表面反射的光束①与②的光程差是：
波长为λ的单色平行光垂直入射到薄膜上，已知n12>n3，如图所示。则从薄膜上、下两表面反射的光束①与②的光程差是：
图示为一定量的理想气体经历acb过程时吸热500J。则经历acbda过程时，吸热量为:
图示为一定量的理想气体经历acb过程时吸热500J。则经历acbda过程时，吸热量为: