选择题:以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是() 题目分类:中国大学MOOC慕课 题目类型:选择题 查看权限:VIP 题目内容: 以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是() A.是直拉硅中浓度最高的杂质B.主要来源于坩埚的污染C.对于硅晶体而言完全是有害杂质,需要去除D.过饱和会形成氧沉淀,影响硅晶体的电学性质 参考答案:
目前SOI材料的主流制备技术是注氧隔离技术和智能剥离技术。 目前SOI材料的主流制备技术是注氧隔离技术和智能剥离技术。这是一个关于技术 主流 半导体材料的相关问题,下面我们来看 分类:中国大学MOOC慕课 题型:选择题 查看答案
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