若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。

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下列直接耦合基本放大电路,()的高频特性最好。

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温度变化是零点漂移的主要原因。

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不可压缩流体,可以认为其密度随压强的增加而增大。

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有旋流动中,不同流体微团旋转运动的旋转轴都相同。

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