题目内容：
以下对于晶体生长描述正确的是（）
A.晶体生长是平衡过程。
B.晶面的法向生长速度越快，就越容易留下来；反之则容易消失。
C.晶体的原子最密排面表面能最低。
D.晶体的形态取决于各个晶面的法向生长速度。
参考答案：
选择题：以下对于晶体生长描述正确的是（）
- 题目分类：中国大学MOOC慕课
- 题目类型：选择题
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SiC可以用熔体生长法。
SiC可以用熔体生长法。这是一个关于生长 半导体材料的相关问题，下面我们来看
掺锗、氮，重掺硼的籽晶具有高强度。
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氢可以钝化硅晶体中的氧沉淀、位错和金属杂质。
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外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法，衬底材料中使用蒸发速率比较小的掺杂元素可以抑制自掺杂，比如Sb。
外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法，衬底材料中使用蒸发速率比较小的掺杂元素可以抑制自掺杂，比如Sb。这是一个关于生长 半导体材料 衬底的相关问题，下面我们来看