题目内容：
以下对于直拉生长描述错误的是（）
A.重装料CZ法可以连续拉晶3-4根，但是有坩埚破裂的风险
B.连续直拉法可以在晶体生长过程中使熔体的液面保持恒定
C.连续直拉法拉出的硅晶体含氧和碳杂质均浓度低，晶体质量高
D.连续直拉法制备出的硅晶体电阻率相对比较均匀，但是掺镓除外
参考答案：
选择题：以下对于直拉生长描述错误的是（）
- 题目分类：中国大学MOOC慕课
- 题目类型：选择题
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