题目内容：
以下对于硅外延生长描述不正确的是（）
A.不同的晶向生长速率不同，对于硅而言，<100>生长速率最快
B.温度影响硅外延生长速率，温度越高外延层的生长速率越高
C.气体和载体的比例影响硅外延生长的速率，存在一个最佳比例生长速率最高
D.生长速率随着气体流量的增加而增大
参考答案：
选择题：以下对于硅外延生长描述不正确的是（）
- 题目分类：中国大学MOOC慕课
- 题目类型：选择题
- 查看权限：VIP
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