题目内容：
为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法
A.磁控溅射
B.反应溅射
C.电阻蒸镀
D.LPCVD
E.射频溅射
F.PECVD
参考答案：
选择题：为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法：
- 题目分类：慕课
- 题目类型：选择题
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