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16. (问答题) 简述双阱CMOS工艺制作CMOS反相器的工艺流程过程。(本题20.0分)参考答案：
选择题：16. (问答题) 简述双阱CMOS工艺制作CMOS反相器的工艺流程过程。(本题20.0分)
- 题目分类：黑龙江科技大学-电路分析基础（专升本）
- 题目类型：选择题
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35. (判断题) 对于弹性碰撞,其系统的总机械能守恒,总动量不一定守恒。( )(本题2.0分) A、 正确 B、 错误
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22. 关于教材中不可压缩恒定总流动量方程,下列说法错误的是( )。(本题5.0分) A、 流动为不可压缩恒定流 B、 流体所受质量力只有重力 C、 公式中
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在Excel2010中，如果A1：E3的各单元格值均为数值1，C7单元格的公式为“=SUM(A1:C3,A3:E3)”，则C7计算结果为（ ）。A.4 B
27. 由光理论:,,则光速c是: ( )(本题1.0分)
27. 由光理论:,,则光速c是: ( )(本题1.0分)
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5kV架空线路耐张段的长度不宜大于。(本题2.0分) A、 1～2km B、 3～5km C、 6～7km D、 7～8km