题目内容：
关于氧化速率下面哪种描述是正确的
A.生长非常薄（<十几nm）的栅氧化层时，氧化速率服从线性规律
B.温度升高氧化速率迅速增加
C.（111）硅比（100）硅氧化得快
D.有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
E.生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
F.生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律
参考答案：
选择题：关于氧化速率下面哪种描述是正确的：
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- 题目类型：选择题
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