选择题:考虑PN结雪崩击穿机制,温度越高,半导体晶格振动越强,载流子与晶格碰撞几率增大,从而更易发生雪崩击穿。

题目内容:

考虑PN结雪崩击穿机制,温度越高,半导体晶格振动越强,载流子与晶格碰撞几率增大,从而更易发生雪崩击穿。

A.正确

B.错误

参考答案:

pn结空间电荷区形成的自建电场的方向是从p指向n。

pn结空间电荷区形成的自建电场的方向是从p指向n。这是一个关于电荷 电场 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看

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漂移晶体管的阻滞电场和加速电场是针对基区中的多子而言的。

漂移晶体管的阻滞电场和加速电场是针对基区中的多子而言的。这是一个关于晶体管 电场 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看

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以下措施中,不能提高晶体管截止频率的一项是()。

以下措施中,不能提高晶体管截止频率的一项是()。这是一个关于晶体管 电场 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看

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晶体管发射极电流,集电极电流,集电极电流之间满足()。

晶体管发射极电流,集电极电流,集电极电流之间满足()。这是一个关于集电极 基尔 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看

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若晶体管使用频率非常高,必须考虑管壳的寄生参量,特别是()。

若晶体管使用频率非常高,必须考虑管壳的寄生参量,特别是()。这是一个关于发射极 引线 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看

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