题目内容：
以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（）。
A.采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb
B.降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子
C.减小发射结和集电结面积以减小电容
D.适当降低集电区电阻率和厚度
参考答案：
选择题：以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（）。
- 题目分类：中国大学MOOC慕课
- 题目类型：选择题
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晶体管发射极电流，集电极电流，集电极电流之间满足（）。
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