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[填空题,2分] 动态MOS存储器的刷新周期安排方式有()、()和()三种。参考答案：
选择题：[填空题,2分] 动态MOS存储器的刷新周期安排方式有()、()和()三种。
- 题目分类：河南理工大学计算机组成与系统结构
- 题目类型：选择题
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[填空题,2分] 向右规格化的规则为：尾数（），阶码（）。
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[单选题,2.4分] 若八位定点整数，补码表示，含一位符号位，若X=1010,则X的补码为A.01010B.01010000C.00001010D.111101
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[论述题,2.4分] 已知某8位机的主存采用半导体存贮器，地址码为18位，若使用4K×4位RAM芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用模块条的形式，问： (1