选择题:硅晶体中掺入硼原子,会引入杂质能级,该能级是(),离()近。

  • 题目分类:中国大学MOOC慕课
  • 题目类型:选择题
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题目内容:

硅晶体中掺入硼原子,会引入杂质能级,该能级是(),离()近。

A.施主能级,导带底

B.施主能级,价带顶

C.受主能级,导带底

D.受主能级,价带顶

参考答案:

通常PN结雪崩击穿电压与温度之间的关系是()。

通常PN结雪崩击穿电压与温度之间的关系是()。这是一个关于反比 正比 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看

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下列关于PN结隧道击穿的说法中,错误的是()。

下列关于PN结隧道击穿的说法中,错误的是()。这是一个关于宽度 隧道 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看

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共基极连接使用的双极型晶体管没有电压放大作用,但是有电流和功率放大作用。

共基极连接使用的双极型晶体管没有电压放大作用,但是有电流和功率放大作用。这是一个关于作用 基极 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看

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对于漂移晶体管,为提高电流放大系数,可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比,减小基区宽度,提高基区自建电场因子,提高基区

对于漂移晶体管,为提高电流放大系数,可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比,减小基区宽度,提高基区自建电场因子,提高基区少子寿命和迁移率等措施。这是一个关于电场 少子 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看

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双极型晶体管基区渡越时间指的是粒子越过基区所需的不同时间的()。

双极型晶体管基区渡越时间指的是粒子越过基区所需的不同时间的()。这是一个关于时间 平均值 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看

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