选择题:下列关于PN结隧道击穿的说法中,错误的是()。 题目分类:中国大学MOOC慕课 题目类型:选择题 号外号外:注册会员即送体验阅读点! 题目内容: 下列关于PN结隧道击穿的说法中,错误的是()。 A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿B.隧道击穿也称齐纳击穿C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负 参考答案:
共基极连接使用的双极型晶体管没有电压放大作用,但是有电流和功率放大作用。 共基极连接使用的双极型晶体管没有电压放大作用,但是有电流和功率放大作用。这是一个关于作用 基极 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看 分类:中国大学MOOC慕课 题型:选择题 查看答案
对于漂移晶体管,为提高电流放大系数,可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比,减小基区宽度,提高基区自建电场因子,提高基区 对于漂移晶体管,为提高电流放大系数,可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比,减小基区宽度,提高基区自建电场因子,提高基区少子寿命和迁移率等措施。这是一个关于电场 少子 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看 分类:中国大学MOOC慕课 题型:选择题 查看答案
双极型晶体管基区渡越时间指的是粒子越过基区所需的不同时间的()。 双极型晶体管基区渡越时间指的是粒子越过基区所需的不同时间的()。这是一个关于时间 平均值 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看 分类:中国大学MOOC慕课 题型:选择题 查看答案
本征参数是指由一维连续方程导出的()。 本征参数是指由一维连续方程导出的()。这是一个关于参数 方程 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看 分类:中国大学MOOC慕课 题型:选择题 查看答案
晶体管等效电路中,gmUbe表示晶体管放大作用的等效电流源。其中gm是跨导,表示晶体管放大能力。() 晶体管等效电路中,gmUbe表示晶体管放大作用的等效电流源。其中gm是跨导,表示晶体管放大能力。()这是一个关于晶体管 等效电路 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看 分类:中国大学MOOC慕课 题型:选择题 查看答案