选择题:下列关于PN结隧道击穿的说法中,错误的是()。

  • 题目分类:中国大学MOOC慕课
  • 题目类型:选择题
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题目内容:

下列关于PN结隧道击穿的说法中,错误的是()。

A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿

B.隧道击穿也称齐纳击穿

C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中

D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负

参考答案:

共基极连接使用的双极型晶体管没有电压放大作用,但是有电流和功率放大作用。

共基极连接使用的双极型晶体管没有电压放大作用,但是有电流和功率放大作用。这是一个关于作用 基极 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看

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对于漂移晶体管,为提高电流放大系数,可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比,减小基区宽度,提高基区自建电场因子,提高基区

对于漂移晶体管,为提高电流放大系数,可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比,减小基区宽度,提高基区自建电场因子,提高基区少子寿命和迁移率等措施。这是一个关于电场 少子 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看

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双极型晶体管基区渡越时间指的是粒子越过基区所需的不同时间的()。

双极型晶体管基区渡越时间指的是粒子越过基区所需的不同时间的()。这是一个关于时间 平均值 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看

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本征参数是指由一维连续方程导出的()。

本征参数是指由一维连续方程导出的()。这是一个关于参数 方程 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看

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晶体管等效电路中,gmUbe表示晶体管放大作用的等效电流源。其中gm是跨导,表示晶体管放大能力。()

晶体管等效电路中,gmUbe表示晶体管放大作用的等效电流源。其中gm是跨导,表示晶体管放大能力。()这是一个关于晶体管 等效电路 半导体器件原理与仿真设计的相关问题,下面我们来看

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