在Si中注入B+,能量为30KeV,剂量是10的12次方离子/cm2,查表可知Rp≈0.11μm,ΔRp=0.032μm 在Si中注入B+,能量为30KeV,剂量是10的12次方离子/cm2,查表可知Rp≈0.11μm,ΔRp=0.032μm,峰值浓度是1.25*10的16次方原子/cm3这是一个关于峰值 次方 微电子工艺的相关问题,下面我们来看 分类:慕课 题型:选择题 查看答案
LPCVD-SiO2,将工艺控制在较高温度,有:kshg,此时淀积速率的特点为: LPCVD-SiO2,将工艺控制在较高温度,有:kshg,此时淀积速率的特点为:这是一个关于温度 速率 微电子工艺的相关问题,下面我们来看 分类:慕课 题型:选择题 查看答案