题目内容：
在Si中注入B+，能量为30KeV，剂量是10的12次方离子/cm2，查表可知Rp≈0.11μm，ΔRp=0.032μm，峰值浓度是1.25*10的16次方原子/cm3
A.正确
B.错误
参考答案：
选择题：在Si中注入B+，能量为30KeV，剂量是10的12次方离子/cm2，查表可知Rp≈0.11μm，ΔRp=0.032μm
- 题目分类：慕课
- 题目类型：选择题
- 查看权限：VIP
LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：kshg，此时淀积速率的特点为：
LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：kshg，此时淀积速率的特点为：这是一个关于温度 速率 微电子工艺的相关问题，下面我们来看
poly-Si薄膜通常是采用什么方法制备的？
poly-Si薄膜通常是采用什么方法制备的？这是一个关于方法 薄膜 微电子工艺的相关问题，下面我们来看
关于光学光刻，下列哪种方法可以获得高分辨率？
关于光学光刻，下列哪种方法可以获得高分辨率？这是一个关于方法 光刻 微电子工艺的相关问题，下面我们来看
20世纪20年代，和平主义运动兴起，取得了一些成果，其中哪项成果后来成为第二次世界大战国际军事法庭审判德、日战犯的重要法
20世纪20年代，和平主义运动兴起，取得了一些成果，其中哪项成果后来成为第二次世界大战国际军事法庭审判德、日战犯的重要法律依据？这是一个关于公约 凡尔赛 简明世界史的相关问题，下面我们来看
囚犯困境的根本原因在于
囚犯困境的根本原因在于这是一个关于成本 差异 博弈论基础的相关问题，下面我们来看