题目内容：
多余输入端可以悬空使用的门是（ ）。A.与门 B.TTL（加上TTL）与非门 C.或门 D.或非门
参考答案：
选择题：多余输入端可以悬空使用的门是（ ）。A.与门 B.TTL（加上TTL）与非门 C.或门 D.或非门
- 题目分类：西安交通大学--电子电工技术学习指南
- 题目类型：选择题
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A.与门 B.TTL（加上TTL）与非门 C.或门 D.或非门
A.与门 B.TTL（加上TTL）与非门 C.或门 D.或非门
68、曹丕文学理论的文章除了《典论·论文》之外，还有()等。
68、曹丕文学理论的文章除了《典论·论文》之外，还有()等。
在本征半导体中掺入微量五价元素可得到 型杂质半导体，在本征半导体中掺入微量三价元素可得到 型
在本征半导体中掺入微量五价元素可得到 型杂质半导体，在本征半导体中掺入微量三价元素可得到 型杂质半导体
174.下列化合物与NaHSO3加成反应活性最好的是（ C ）。
174.下列化合物与NaHSO3加成反应活性最好的是（ C ）。
96、注意
96、注意
5、被称为中国文学批评史上第一篇文论专篇是（）。 （分数：2 分）
5、被称为中国文学批评史上第一篇文论专篇是（）。 （分数：2 分） A A. 《毛诗序》B B. 《文赋》C C. 《尚书·尧典》D D. 《典论·论文》