题目内容：
已知单个存储体的存储周期为110ns，总线传输周期为10ns，则当采用低位交叉编址的多模块存储器时，存储体数应()。
A.小于11
B.等于11
C.大于11
D.大于等于11
参考答案：
答案解析：
选择题：已知单个存储体的存储周期为110ns，总线传输周期为10ns，则当采用低位交叉编址的多模块存储器时，存储体数应()。
- 题目分类：国家电网招聘
- 题目类型：选择题
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定点数采用模4补码，即变形补码进行加减运算时，判断溢出的方法是()。
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二十世纪六七十年代，在美国的加利福尼亚州，出现了一个地名叫硅谷。该地主要工业是微电子工业，它也是()的发源地。
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假定用若干个2Kx4位芯片组成一个8K×8位的存储器，则地址OBIFH所在芯片的最小地址是()。
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为了便于实现多级中断，保存现场信息最有效的方法是采用()。
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CPU中，保存当前正在执行的指令的寄存器是（5）。表征指令执行结果的寄存器是（6）。
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